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Rasterelektronenmikroskop (REM)
Das REM tastet mittels eines Elektronenstrahls die Oberfläche der zu
untersuchenden Probe Zeile für Zeile ab. An der Oberfläche der Probe
werden Elektronen gestreut oder Sekundärelektronen aus der Probe selbst
erzeugt. Dies funktioniert nur bei leitenden Oberflächen. So müssen
nicht leitende Oberflächen mit Gold bedampft werden. Aus den gestreuten
Elektronen kann ein dreidimensionales Abbild geschaffen werden. Daher ist die
Tiefenschärfe besser als beim TEM, jedoch liegt der Vergrößerungsfaktor
nur bei 100000. Die englische Bezeichnung lautet Scanning Electron Microscopy.
Daher wird die Abkürzung SEM ebenfalls häufig verwendet.
Rasterkraftmikroskop
Das RKM oder besser bekannt als AFM (Atomic Force Microscope) taste die Probenoberfläche
mit einem Sensor (AFM Spitze/Blattfeder) ab. Die AFM Spitze, der Fachausdruck
ist Kantilever, tastet die Probe Zeile für Zeile ab. Durch Abstoßung
zwischen Nadel und Probe wird eine Bewegung der Spitze detektiert. Hieraus
kann ein dreidimensionales Abbild simuliert werden. Die Cantilever sind je
nach Methode zwischen 50 und 500µm lang und direkt
vorne an der Spitze wenige Nanometer dick.
Rastertunnelmikroskop/ Tunnelmikroskop
Das STM (Scanning Tunneling Microscope)
ermöglicht höchst präzise
dreidimensionale Oberflächenabbildungen. An der Probe und Sonde wird eine
konstante Spannung angelegt. Der Abstand zwischen Sonde und Probe ist minimal.
Die Elektronen durchtunneln den Abstand zwischen Oberfläche und Sensor.
Dies bewirkt eine Anpassung der Sonde an die Oberfläche. Die Positionsveränderung
der Spitze wird detektiert und gibt ein präzises Abbild der Probe wider.
Nachteil ist, dass nur leitende Oberflächen untersucht werden können.
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